模电，问题一：2中温度升高，漂移运动加强，为什么不是pn结变宽，所需电压变大问题二:3如何理解,蒸发光散射检测器漂移管温度

Q1：问题一：2中温度升高，漂移运动加强，为什么不是pn结变宽，所需电压变大？问题二:3如何理解

“离子”的(自主)漂移运动是“离子”从高密度区域向低密度区域的运动1因此，当PN结处于平衡状态时，P区的自由电子密度高，N区的空穴密度高2当外部温度升高时，自由电子的动量增加，自由电子的漂移增加，从而加强了电子-空穴回流，降低了内部电场的强度，这表明PN结的宽度变窄3

Q2：模拟电路的基本问题：漂移运动的内容我有点不理解，求高手指点

如图，P区的载流子是空穴，N区的载流子是自由电子4P区和N区接触，由于浓度的差别，P区的空穴向N区移动，N区的自由电子向P区移动5两种载流子在接触面附近会中和，形成耗尽区，也就是说载流子少了6N区靠近耗尽层的部分，原来原子核和自由电子带电数目相同，成中性不带电7现在自由电子少了，去P区了，空穴多了，P区来的，所以带正电8同理P区靠近耗尽层部分带负电9这就形成了内电场，方向由N区指向P区10在内电场的作用下，空穴带正电从正向负移动，即从N向P；自由电子带负电由负向正，即从P向N移动11与扩散移动的方向正好相反12这就是飘逸运动13当扩散运动和飘逸运动达到一个动态平衡，就形成了PN结14

Q3：模电PN结问题

这是由材料的特性决定的，所以不需要研究15

Q4：关于温度对PN结影响的疑问

好亲切的数电哦16温度升高，载流子相对数目增加，需要更小的电压就更击穿，很正常啊17相当于电阻减小了嘛

Q5：漂移使PN结变薄，但反偏时，PN结电场加强，漂移运动加强，而PN结变厚？？？

形成PN结的过程中，因多子扩散而形成内电场 ，同时加大的内电场加强了少子的漂移， 它与扩散运动相反，使空间电荷区变窄， 直到漂移运动与扩散运动相当时， PN结动态稳定下来http://redoufu.com/。当外加反偏时， 内外电场力方向相同， 在外电场作用下，多子背离PN结运动，空间电荷区变宽 ，加厚了PN结 ，加强了少子的漂移运动 流过一个很小的反向电流19

Q6：漂移运动使PN结变薄,但反偏时,PN结电场加强,漂移运动加强,而PN结变厚???

形成PN结的过程中，因多子扩散而形成内电场 ，同时加大的内电场加强了少子的漂移， 它与扩散运动相反，使空间电荷区变窄， 直到漂移运动与扩散运动相当时， PN结动态稳定下来20当外加反偏时， 内外电场力方向相同， 在外电场作用下，多子背离PN结运动，空间电荷区变宽 ，加厚了PN结 ，加强了少子的漂移运动 流过一个很小的反向电流21