有问题就有答案
Q1：给出一个光电二极管图谱，按要求设计电路
在55nm波长处，其中光电二极管产生的照度为2uA100 lux，其具有如图所示的光谱响应(横坐标为Oda的入射光波长，有序相对响应)。我们有能力帮助你。
Q2：如何测光电二极管的光电流从而计算光强
光电二极管的电流与光强有关。光线越强，内阻越小，流过的电流越大。当然，反向电压会影响光电二极管的工作。如果反向偏置电压较大，光电二极管将关闭。光电流的大小与光强和电压有关。发射的光电子会向四面八方飞去，所以电压会使它们在电场的引导下尽可能多地跑到阳极，成为可检测的光电流。因此，随着电压的增加，越来越多的光电子会被吸引到阳极，光电流也会增加。
Q3：问:同样都是硅二极管,硅光电二极管和硅整流二极管有何不同,原因是什么?答
不同的功能和属性。发光二极管属于负载属性，而整流二极管属于控制组件。同时，它们之间的工作电压也是不同的。希望我的回答对你有帮助，被采纳。
Q4：为什么随着加在光电管两端的正向电压的增大,回路中的光电流会增大并进而达到饱和
随着光电管两端电压的增加，内部发光二极管发出更多的光，这使得光电晶体管的电流增加并达到饱和。光电管是基于外部光电效应的基本光电转换器件。光电池能把光信号转换成电信号。光电池分为真空光电池和充气光电池。光电池的典型结构是将球形玻璃外壳抽真空，在内半球上涂一层光电材料作为阴极，在球体中心放置一个小球形或小环形金属作为阳极。如果球内充满低压惰性气体，它将成为一个充满气体的光电池。电子在飞向阳极的过程中与气体分子碰撞，使气体电离，可以增加光电池的灵敏度。用作光电阴极的金属包括碱金属、汞、金、银等。可以满足不同波段的需求。光管由于灵敏度低、体积大、易破损，已被固体光电器件取代。光电池的原理是光电效应。一种是半导体材料制成的光电池，其工作原理光电二极管，也叫光敏二极管，是利用光电池结构示意图中半导体的光敏特性制造的光接收器件。当光照强度增加时，PN结两侧P区和N区由本征激发产生的少数载流子浓度增加。如果二极管反向偏置，反向电流会增加。因此，光电二极管的反向电流随着照度的增加而增加。光电二极管是一种特殊的二极管，工作在反向偏置状态。常见的半导体材料包括硅和锗。比如我们走廊里用的灯光控制开关。还有一个电子管型光电池。其工作原理是碱金属(如钾、钠、铯等。)制成曲面作为阴极，另一个是阳极。两极之间加直流电压，这样有光照射时，碱金属产生电子，电子会形成一束光电子电流，这样两极导通，光消失，光电子电流消失，两极断开。光照射在某些物质上会引起物质电学性质的变化。这种光致现象被人们称为光电效应。金属表面在光照射作用下发射的电子效应称为光电子。只有当光的波长小于某一临界值时，才能发射电子，即极限波长，对应的光的频率称为极限频率。临界值取决于金属材料，而发射电子的能量取决于光的光电效应示意图的波长，与光强无关，不能用光的涨落来解释。另一点与光的涨落相矛盾，即光电效应的瞬时性。根据涨落理论，如果入射光很弱，照射时间会更长，这样金属中的电子就能积累足够的能量，飞出金属表面。但事实是，只要光的频率高于金属的极限频率，光子的产生几乎是瞬间的，不会超过十减九秒。正确的解释是，光必须由与波长相关的严格定义的能量单位(即光子或光量子)组成。这个解释是爱因斯坦提出的。光电效应是德国物理学家赫兹在1887年发现的，对量子理论的发展起到了基础性的作用。在光的照射下，物体中的电子逃逸的现象称为光电效应。光电效应分为光电子发射、光电导效应和光伏效应。前一种现象发生在物体表面，也称为外光电效应。后两种现象发生在物体内部，称为内部光电效应。在光电效应中，电子的发射方向不是完全定向的，但大部分是垂直于金属表面发射的，与光照方向无关。光是电磁波，但光是高频振荡的正交电磁场，振幅很小，不会影响电子的发射方向。
Q5：光电技术中带有光敏电阻和光电二极管的积分电路的功能分别是什么？
积分电路是延时消抖动功能。在某个特定光照条件下，防止控制开关一会开、一会关。
Q6：将光电二极管的电流值放大后送入单片机要用什么样的放大电路，运放选择哪种芯片，精度要高的
单片机采集的是电压，和电流值没关系的吧，就算你放大了，只要电压不变，电平也是不变的。要是电流过高了还可能把单片机给烧掉了